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第三代半导体材料氮化镓(GaN)技术与优势详解-918搏天堂手机登录

发布时间:2021-01-21    来源:918搏天堂平台69421

本文摘要:第三代半导体材料氮化镓(GaN)是最近新兴的半导体工艺技术,具有突破硅的多种优势。

第三代半导体材料氮化镓(GaN)是最近新兴的半导体工艺技术,具有突破硅的多种优势。GaN与硅设备相比,构建了电源转换效率和功率密度的性能提高,通常应用于功率因数校正(PFC)、硬电源DC-DC等电源系统设计、电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器和通信电源等终端领域。

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GaN的优点如表1所示,GaN没有很好的渗透能力、更好的电子密度和速度以及更高的工作温度。GaN获得较低的电子迁移率。这意味着可以忽略电源过程的反向恢复时间。也就是说,可以获得低损耗和低功率频率,而通过低损耗和宽带长设备的低连接温度特性,可以减少热值。

低功率频率增加变压器、电容器、电感等过滤器和手动部件,最后增加系统大小和重量,提高功率密度,帮助设计。宽带账面GaN比SiC成本低,容易商用,没有普遍使用的潜力。

表1:半导体材料的主要特性概述GaN适用于被证明比硅基设备具有更高性能的电源。Ansenmei半导体和电力交换专家Transphorm共同开发并共同推动了可用于工业、计算机、通信、LED照明和网络领域各种高压的基于GaN的产品和电力系统方案。去年两家公司公开销售了600VGaN级联结构(Cascode)晶体管NTP8G202N和NTP8G206N,两台设备的传导电阻分别为290米吗?还有150米?门的电荷均为6.2nC,输入容量分别为36pF和56pF,反向恢复电荷分别为0.029C和0.054C,使用优化的TO-220PCB,可以根据客户现有的主板功能轻松构建。

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以相同的传导电阻等级为基准,第一代600V硅基GaN-on-Si(Gan-on-Si)装置已经获得了4倍以上的栅极电荷、更好的输入电荷、相似的输入容量、20倍以上的反向恢复电荷,今后将得到改善,因此未来Gan的优势不会更加明显。


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